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- 发布日期：2024-01-10 16:54 点击次数：171
TGF2965-SM
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编号：
772-TGF2965-SM
制造商编号：
TGF2965-SM
制造商：
Qorvo
Qorvo
客户编号:
说明：
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
数据表:
TGF2965-SM 数据表 (PDF)
ECAD模型:
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eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。
完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按?的倍数订购。
卷轴和剪切带
以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。
卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
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特色产品
亿配芯城 功率附加效率为57%（1dB时）。
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规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 工作频率: 30 MHz to 3 GHz 增益: 18 dB 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 32 V Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.7 V Id-连续漏极电流: 600 mA 输出功率: 6 W 最大漏极/栅极电压: - Pd-功率耗散: 7.5 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: QFN-16 封装: Tray 商标: Qorvo 配置: Single 正向跨导 - 最小值: - 闸/源截止电压: - 湿度敏感性: Yes 产品类型: RF JFET Transistors Rds On-漏源导通电阻: - 系列: TGF2965 工厂包装数量: 工厂包装数量: 100 子类别: Transistors Vgs th-栅源极阈值电压: - 零件号别名: TGF2965 1123170 单位重量: 57.100 mg
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产品合规性
CNHTS: 8542399000 CAHTS: 8542390000 USHTS: 8542390001 JPHTS: 854239099 TARIC: 8542399000 MXHTS: 8542399901 ECCN: EAR99
更多信息
TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor
Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.
QPD GaN射频晶体管
Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。
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- Qorvo QPA9127TR72024-01-10