理论性能远超SiC？GaN功率二极管的发展历程
2024-01-26电子发烧友网报道（文/梁浩斌）氮化镓功率器件的大规模应用，是从2018年开始的。自手机快充功能在市场上迅速普及，经过数年的发展，氮化镓HEMT器件早已被广泛应用到快速充电器等应用中。当然在此之前，氮化镓在半导体领域还是主要被用于光电领域以及射频领域。比如蓝、绿、白光LED、蓝紫光激光器等，射频领域的大功率功放管、PA、MMIC等，氮化镓都是重要材料之一。不过如果聚焦功率领域，可以发现氮化镓与碳化硅不同之处在于，碳化硅市场上有晶体管和二极管两种类型的器件，而氮化镓目前的功率产品主要是HEMT，几
远超美国，中国半导体专利申请量增至71.7%！
2024-01-05据韩国媒体报道，中国在半导体专利申请方面的崛起引人注目。据大韩商工会议所的分析，中国申请的半导体专利占比自2003年的14%剧增至2022年的71.7%，这一增长趋势远超美国和韩国。 而与此同时，韩国专利厅申请的半导体专利由 2003 年的 21.2% 降至去年的 2.4%。在2018-2022 年间，中国在 IP5 中半导体专利申请数排名第一，为135428 件，远超排名第二的美国（87573 件）和排名第三的韩国（18911 件），中国申请的半导体专利数量较 20 年前（2003-2007