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标题:Walsin华新科WR12X2202FTL电阻(22K OHM,1%精度,1/4W,1206封装)的技术和方案应用介绍 Walsin华新科WR12X2202FTL电阻是一种常用的精密电阻元件,具有较高的精度、良好的功率容量和微型封装等特点,因此在电子设备中得到了广泛的应用。接下来,我们将从技术特性和方案应用两个方面对WR12X2202FTL电阻进行介绍。 一、技术特性 1. 阻值:WR12X2202FTL电阻的标称阻值是22K欧姆,精度为1%,符合国际标准。 2. 功率容量:该电阻的额定
标题:GigaDevice兆易创新GD25LQ128EFIRR芯片IC在FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOP技术中的应用介绍 GigaDevice兆易创新推出的GD25LQ128EFIRR芯片IC,以其独特的FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOP技术,为嵌入式系统设计带来了新的可能。这款芯片以其高速、高容量、低功耗的特点,广泛应用于各种嵌入式设备中,如智能手表、物联网设备、医疗设备等。 GD25LQ128EFIRR芯片IC采用先进的FLASH技术,具有极高
Lattice莱迪思是一家知名的半导体公司,其M4A3-32/32-7VNI48芯片IC CPLD 32MC 7.5NS 48TQFP是一款备受瞩目的集成电路产品。这款芯片具有多项先进的技术特点,适用于多种应用场景,下面我们将详细介绍其技术和方案应用。 一、技术特点 M4A3-32/32-7VNI48芯片IC CPLD 32MC 7.5NS 48TQFP采用Lattice莱迪思的专利逻辑技术,具有高速、低功耗、高可靠性的特点。该芯片的逻辑门采用CMOS工艺制造,具有极低的功耗和较高的速度。此外
标题:Micrel MIC5335-NKYMT芯片在DUAL、HIGH PERFORMANCE 300MA MIC技术中的应用介绍 Micrel的MIC5335-NKYMT芯片以其独特的DUAL、HIGH PERFORMANCE 300MA MIC技术,在现今的电子设备市场占据着重要地位。这款芯片以其出色的性能和卓越的耐用性,为各类应用提供了强大的技术支持。 MIC5335-NKYMT芯片是一款双通道、高性能的电流模式控制器,其工作频率高达几百兆赫,同时保持低噪声和优秀的EMI性能。芯片内部集
标题:Silan士兰微SD15M60AC DIP27封装三相全桥驱动智能功率模块的技术与方案应用介绍 Silan士兰微SD15M60AC是一款DIP27封装的智能功率模块,它集成了驱动、保护、通讯和控制功能于一体,广泛应用于各种需要大功率输出的应用场景。 一、技术特点 SD15M60AC采用了先进的IGBT技术,具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点。其内部结构紧凑,集成度高,可以显著降低系统成本和复杂性。此外,该模块还具有快速瞬态响应和优异的热稳定性,能够适应各种恶劣的工作环境。 二、方案应
标题:Mini-Circuits ZX60-06183LN射频微波芯片IC:6GHz-18GHz SMA技术介绍 随着无线通信技术的快速发展,射频微波芯片在各个领域的应用越来越广泛。Mini-Circuits作为行业知名品牌,其ZX60-06183LN射频微波芯片IC以其卓越的性能和稳定性,备受关注。该芯片适用于6GHz-18GHz频段,采用SMA接口,具有诸多技术特点和应用优势。 首先,ZX60-06183LN芯片采用先进的射频微波技术,具有高功率、低噪声、高线性等特点,适用于雷达、无线通信
标题:MACOM MADP-011104-TR0500芯片RF DIODE PIN 800V 12PQFN的技术与应用介绍 MACOM,作为全球领先的半导体供应商,一直以其卓越的技术创新和产品质量,为全球电子产业的发展做出了重要贡献。今天,我们将深入探讨MACOM品牌MADP-011104-TR0500芯片RF DIODE PIN 800V 12PQFN的技术与应用。 MADP-011104-TR0500芯片是一款高性能的RF DIODE PIN 800V 12PQFN,它采用了先进的工艺技术
标题:IXYS艾赛斯IXGK82N120B3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,而功率半导体器件作为电力转换和控制的核心部件,其性能和可靠性直接影响着整个系统的性能和稳定性。IXYS艾赛斯IXGK82N120B3功率半导体IGBT便是其中的佼佼者。 IXGK82N120B3是一款1200V、230A、1250W的TO264封装的功率半导体IGBT。它采用了IXYS艾赛斯独特的生产工艺和技术,具有优良的电气性能和可靠性。其工作温度范围宽,能在各